ZEISS Crossbeam 550

Crossbeam 550 решает задачи обратной инженерии и формирования трехмерных нанообъектов:

• получает трехмерные изображения с разрешением 0,7 нм
• в течение нескольких минут изготавливает однородные срезы толщиной 10 нм
• препарирует поверхности с точностью 3 нм по вертикали.

Crossbeam 550 исследует газящие и разрушающиеся под действием радиации образцы — полимеры, химические вещества, суспензии — при низких ускоряющих напряжениях в 20 В. Это увеличивает поверхностную чувствительность, уменьшает зарядку непроводящих образцов и повреждение чувствительных к пучку электронов образцов. В результате микроскоп исследует диэлектрические образцы с нанометровыми областями интереса без предварительной пробоподгототовки, что также ускоряет процесс ионной резки.

Внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно-рассеянных электронов изображают поверхность образцов одновременно. Изотропное разрешение FIB-SEM томографа - 3 нм. 

Конструкция колонны Crossbeam 550 минимизирует магнитные поля на поверхности образцов. Микроскоп изображает диа-, пара- или ферромагнитные образцы с разрешением 4 нм при рабочем расстоянии 2 мм и напряжении 1 кВ.

Электронная «оптика» получает предельные результаты и при работе опционального детектора СТЭМ: 0,6 нм при 30 кВ. Таким образом, большинство задач трансмиссионной (просвечивающей) электронной микроскопии (ТЭМ) Crossbeam 550 решает и без использования микроскопа ТЭМ.

Ионная колонна с галиевым источником автоматически режет и получает изображения с высокой точностью при низких ускоряющих напряжения, что гарантирует резку хрупких и не стойких к радиации образцов. Скорость резки - ламель 50*20 мкм2 за 25 минут.

Опциональная электронная пушка для нейтрализации заряда на полупроводниковых образцах позволяет резать непроводящие материалы с высокой точностью и одновременно получать изображение поверхности.